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自研智造 “嵌”入未來丨時創(chuàng)意受邀出席TSS2024半導體產業(yè)高層論壇

2024-06-21      來源:

近日,TSS2024集邦咨詢半導體產業(yè)高層論壇于深圳福田JW萬豪酒店隆重舉行。時創(chuàng)意與300余名半導體產業(yè)鏈高層嘉賓、資深分析師齊聚一堂,圍繞AI市場、閃存技術應用趨勢及供應鏈動態(tài)等熱點話題展開全方位探討與交流,共謀產業(yè)發(fā)展新格局。


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▲ TSS2024峰會現(xiàn)場


聚焦AI前沿

以持續(xù)創(chuàng)新加速產品迭代


隨著ChatGPT等AI大模型的持續(xù)火熱,高性能、大容量的存儲芯片需求強勁增長,促進先進制程和先進封裝技術的大踏步發(fā)展,SSD產品系列備受關注。此外,在汽車電動化趨勢之下,全球新能源汽車作為半導體應用的另一重要驅動力,正“風馳電掣”般前行,為車載存儲、第三代半導體的蓬勃發(fā)展注入了強勁動力。


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             ▲ AI與EV電動車引領下終端需求強勁


基于此,時創(chuàng)意緊隨升級變化的市場需求,不斷深化從存儲芯片研發(fā)、封裝測試、模組制造到產業(yè)化應用的全業(yè)務流程布局,發(fā)揮自身全產品線的軟固件自主開發(fā)和測試驗證、從基板到高階多層硬板的高速硬件設計和建模仿真、完全自研的先進封裝工藝和自主搭建的制造產線、高速自動化測試設備的全Pattern開發(fā)能力等核心技術優(yōu)勢,以更優(yōu)性能、更大容量及更高可靠的存儲產品及技術解決方案,為AI手機、AI PC、AI服務器等端存儲應用的發(fā)展提供強大支撐。

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             ▲ 時創(chuàng)意DRAM內存模組


賦能主流終端

打造多元場景化存儲應用丨


據TSS2024公開報告顯示,手機、服務器、PC存儲三大終端應用市場進入企穩(wěn)回升階段,并將保持持續(xù)的復蘇態(tài)勢。


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             ▲ 三大存儲終端需求趨勢分析


聚焦核心三大應用場景,時創(chuàng)意以技術創(chuàng)新賦能智能端應用升級迭代。嵌入式存儲方面,時創(chuàng)意推出LPDDR5、512GB UFS3.1高性能嵌入式閃存產品,并啟動 UFS4.0 的研發(fā);DARM內存模組方面,全新高頻內存條DDR5-8000頻率高達8000MHz,雙條容量32GB(16GBx2),支持 Intel XMP3.0 與AMD EXPO技術;SSD固態(tài)硬盤方面,S7000 Pro、S7000、 C7000 等多款SSD主力產品,集卓越性能與海量存儲于一體,兼?zhèn)浞€(wěn)定兼容、品質可靠、出色溫控等特點。


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             ▲ 時創(chuàng)意嵌入式存儲產品


深化關鍵技術

丨拓展QLC產品化布局


近年來,QLC NAND產品在AI存儲市場的帶動下,其在存儲應用領域的重要性正逐步突顯。據峰會報告數據顯示,QLC NAND 今年Q2至Q4的市場占比將分別達到20.6%、20.1%、18.8%。


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▲ QLC閃存芯片市場占比趨勢


QLC NAND具備更快讀速、更高單位面積存儲密度以及更低功耗的天然優(yōu)勢。早在2018年,時創(chuàng)意便已啟動SSD模組的研發(fā),次年成功實現(xiàn)QLC技術的初步應用,并在嵌入式領域也規(guī)劃布局QLC技術,未來,時創(chuàng)意將在SSD產品線上深化QLC技術應用,進一步拓展在其他存儲品類上的創(chuàng)新實踐。


此外,時創(chuàng)意通過運用成熟的16層疊Die、超薄Die、第二代Flip Chip等先進封裝工藝,加以晶圓級、顆粒級與模組級的嚴苛環(huán)境測試,使存儲芯片在存儲容量、使用壽命及可靠性等方面的表現(xiàn)也尤為出色。


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             ▲ 時創(chuàng)意SSD固態(tài)硬盤


未來,時創(chuàng)意將持續(xù)發(fā)揮自研智造、資源整合及質量管理等突出優(yōu)勢,通過精準市場洞察、前瞻技術探索及可持續(xù)的合作模式,積極與全產業(yè)鏈上下游穩(wěn)健協(xié)作,同時依托服務行業(yè)一線終端客戶和技術應用落地經驗,不斷提升自身產品力和品牌影響力,為存儲產業(yè)繁榮發(fā)展貢獻力量。